瑞薩電子推出行業首創第六代 DDR5 寄存時鐘驅動器,以 9600MT/s 的傳輸速率樹立 AI 伺服器性能新標杆
2025 年 11 月 12 日,中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子 (TSE:6723) 宣佈推出業界首款面向 DDR5 寄存雙列直插式記憶體模組 (RDIMM) 的第六代 (Gen6) 寄存時鐘驅動器 (RCD)。這款全新 RCD 率先實現了 9600 兆傳輸/秒 (MT/s) 的資料速率,超越當前行業標準。與瑞薩第五代 (Gen5) RCD 8800MT/s 的性能相比,本次突破實現了大幅提升,為資料中心伺服器的記憶體介面性能樹立了全新標杆。
瑞薩第六代 DDR5 RCD 的關鍵特性
- 頻寬較瑞薩第五代 RCD 提升 10% (9600MT/s vs 8800MT/s)
- 向後相容第五代平臺:提供無縫升級路徑
- 增強信號完整性與能效:支援 AI、HPC、及 LLM 工作負載
- 擴展的決策回饋均衡架構:提供八個 Taps 和 1.5mV 精度的電壓調整,實現卓越的裕量調諧
- 決策引擎信號遙測與裕量調節 (DESTM):改進系統級診斷功能可提供即時信號品質指示、裕量視覺化及診斷回饋,以支援更高速度運行
新型 DDR5 RDIMM 旨在滿足人工智慧 (AI)、高性能計算 (HPC),及其它資料中心應用對頻寬日益增長的需求。瑞薩在新型 RDIMM 的設計、開發與部署過程中發揮關鍵作用,協同包括 CPU 和記憶體供應商等在內的行業領軍企業,及終端客戶開展了深度合作。憑藉在信號完整性與功耗優化領域的深厚積澱,瑞薩已位於 DDR5 RCD 領域的前沿。
Sameer Kuppahalli, Vice President of Memory Interface Division at Renesas 表示:“生成式 AI 的爆發式增長推動了系統晶片核心數量的激增,進而將記憶體頻寬與容量的需求推向前所未有的高度,成為資料中心性能的關鍵驅動力。第六代 DDR5 寄存時鐘驅動器充分彰顯出瑞薩致力於記憶體介面創新、開拓前沿技術,並提供滿足市場需求解決方案的堅定承諾。”
Indong Kim, VP of DRAM Product Planning, Samsung Electronics 表示:“三星與瑞薩在多代記憶體介面元件領域保持著緊密合作,包括成功完成 Gen5 DDR5 RCD 和 PMIC 5030 的認證。如今,我們很高興將 Gen6 RCD 集成至 DDR5 DIMM 中,覆蓋多個 SoC 平臺,以滿足AI、HPC、及其它記憶體密集型工作負載日益增長的需求。”
供貨資訊
RRG5006x 第六代 RCD 專為滿足下一代伺服器平臺的嚴苛要求而設計,具備卓越的性能、可靠性,與可擴展性。目前,瑞薩已開始向包括所有主流 DRAM 供應商在內的特定客戶開放全新 RRG5006x RCD 樣品,預計於 2027 年上半年啟動量產。有關瑞薩記憶體介面解決方案的更多資訊,請訪問:www.renesas.com/ddr5。如需獲取新款 RCD 的詳細資料,請與駿龍科技當地的辦事處聯繫或點擊「聯繫我們」,提交您的需求,駿龍科技公司願意為您提供更詳細的技術解答。
