瑞萨电子推出行业首创第六代 DDR5 寄存时钟驱动器，以 9600MT/s 的传输速率树立 AI 服务器性能新标杆

2025 年 11 月 12 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 (TSE：6723) 宣布推出业界首款面向 DDR5 寄存双列直插式内存模块 (RDIMM) 的第六代 (Gen6) 寄存时钟驱动器 (RCD)。这款全新 RCD 率先实现了 9600 兆传输/秒 (MT/s) 的数据速率，超越当前行业标准。与瑞萨第五代 (Gen5) RCD 8800MT/s 的性能相比，本次突破实现了大幅提升，为数据中心服务器的内存接口性能树立了全新标杆。

• 带宽较瑞萨第五代 RCD 提升 10% (9600MT/s vs 8800MT/s)
• 向后兼容第五代平台：提供无缝升级路径
• 增强信号完整性与能效：支持 AI、HPC、及 LLM 工作负载
• 扩展的决策反馈均衡架构：提供八个 Taps 和 1.5mV 精度的电压调整，实现卓越的裕量调谐
• 决策引擎信号遥测与裕量调节 (DESTM)：改进系统级诊断功能可提供实时信号质量指示、裕量可视化及诊断反馈，以支持更高速度运行

新型 DDR5 RDIMM 旨在满足人工智能 (AI)、高性能计算 (HPC)，及其它数据中心应用对带宽日益增长的需求。瑞萨在新型 RDIMM 的设计、开发与部署过程中发挥关键作用，协同包括 CPU 和内存供应商等在内的行业领军企业，及终端客户开展了深度合作。凭借在信号完整性与功耗优化领域的深厚积淀，瑞萨已位于 DDR5 RCD 领域的前沿。

Sameer Kuppahalli, Vice President of Memory Interface Division at Renesas 表示：“生成式 AI 的爆发式增长推动了系统芯片核心数量的激增，进而将内存带宽与容量的需求推向前所未有的高度，成为数据中心性能的关键驱动力。第六代 DDR5 寄存时钟驱动器充分彰显出瑞萨致力于内存接口创新、开拓前沿技术，并提供满足市场需求解决方案的坚定承诺。”

Indong Kim, VP of DRAM Product Planning, Samsung Electronics 表示：“三星与瑞萨在多代内存接口组件领域保持着紧密合作，包括成功完成 Gen5 DDR5 RCD 和 PMIC 5030 的认证。如今，我们很高兴将 Gen6 RCD 集成至 DDR5 DIMM 中，覆盖多个 SoC 平台，以满足AI、HPC、及其它内存密集型工作负载日益增长的需求。”

RRG5006x 第六代 RCD 专为满足下一代服务器平台的严苛要求而设计，具备卓越的性能、可靠性，与可扩展性。目前，瑞萨已开始向包括所有主流 DRAM 供应商在内的特定客户开放全新 RRG5006x RCD 样品，预计于 2027 年上半年启动量产。有关瑞萨内存接口解决方案的更多信息，请访问：www.renesas.com/ddr5。如需获取新款 RCD 的详细资料，请与骏龙科技当地的办事处联系或点击「联系我们」，提交您的需求，骏龙科技公司愿意为您提供更详细的技术解答。