瑞薩電子推出的第三代MRDIMM 將DDR5記憶體性能提升至16,000MT/s，賦能下一代AI與HPC應用

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣佈，推出其第三代（Gen3）DDR5多工雙列直插記憶體模組（MRDIMM）晶片組解決方案，可實現高達16,000兆次傳輸/秒（MT/s）速率的伺服器級MRDIMM。該系列解決方案專為應對人工智慧（AI）資料中心、雲基礎設施及加速計算工作負載等場景，對更高記憶體頻寬日益增長的需求而設計。

隨著AI模型規模持續擴大、計算工作負載的資料密集度不斷攀升，系統架構師在確保與現有伺服器平臺相容的同時，面臨著提供更高記憶體頻寬的嚴峻挑戰。瑞薩第三代MRDIMM解決方案在沿用現有DDR5基礎設施的基礎上，較第二代方案可實現25%的記憶體頻寬提升。這意味著伺服器平臺無需進行顛覆性的架構變更，即可釋放更強的性能。

瑞薩持續提供經現場驗證且可量產的MRDIMM平臺，涵蓋MRCD、MDB、電源管理IC（PMIC）、串列存在檢測（SPD）集線器及溫度感測器。這一平臺化策略使客戶能夠在跨代升級中靈活擴展MRDIMM性能，同時保持設計的連續性並加速產品部署。

第三代MRDIMM基於成熟的第二代產品架構，在擴展性能的同時保留了標準DIMM的外形尺寸和系統相容性。此外，第三代產品還增強了系統的可視性與穩健性，包括設備均衡自訓練模式（DESTM）的品質指示狀態，該功能使使用者能夠微調時序和接收端均衡訓練，從而最大化裕量。

除性能提升外，瑞薩第三代MRDIMM解決方案在設計時充分考慮了系統級能效，旨在説明客戶在日益增長的頻寬需求與系統層面的散熱設計及功耗限制之間取得平衡。詳細的功耗對比資料將在隨附的產品文檔中提供。

Amit Goel, Corporate Vice President, Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering, AMD表示：“AMD長期以來一直致力於支援開放且基於標準的技術，這些技術推動了資料中心的創新，並隨著AI和HPC工作負載的不斷演進而提供了更高的靈活性。MRDIMM和瑞薩晶片組等下一代記憶體形態的創新，對於助力行業實現更高頻寬、更高效率以及持續的平臺可擴展性至關重要。”

Sameer Kuppahalli, Vice President and General Manager, Memory Interface Division at Renesas表示：“AI訓練和推理工作負載正在從根本上重塑資料中心基礎設施的系統記憶體需求，為滿足這些工作負載對記憶體容量及輸送量的巨大需求，瑞薩始終走在行業前沿，推出了第三代MRDIMM晶片組元件。我們的客戶正採用瑞薩完整的晶片組元件，持續突破記憶體輸送量和容量的邊界。”

瑞薩正與領先的CPU及平臺合作夥伴緊密協作，推動第三代MRDIMM在未來伺服器平臺中的應用落地，進一步鞏固MRDIMM作為下一代AI與雲基礎設施可擴充記憶體架構的地位。

瑞薩第三代MRDIMM MRCD（RRG5013x）和MDB（RRG5103x）現已開始向包括主要DRAM供應商在內的特定客戶提供樣品，預計將於2027年下半年實現量產供貨。有關瑞薩記憶體介面解決方案的更多資訊，請訪問www.renesas.com/ddr5。如需瞭解新產品的更多詳情，請與駿龍科技當地的辦事處聯繫或點擊「聯繫我們」，提交您的需求，駿龍科技公司願意為您提供更詳細的技術解答。